研究方向：半导体材料及器件、光电探测器、生物传感器
办公邮箱：caigsh@gpnu.edu.cn
个人简介：
广东技术师范大学光电工程学院讲师。主要从事半导体器件领域研究，发表SCI/EI论文10余篇，已授权中国发明专利5项，已授权美国发明专利3项。
教育背景：
2021年北京大学深圳研究生院博士后出站；
2019年获中山大学博士学位；
2013年获中山大学学士学位。
主讲课程：《普通物理》、《普通物理实验》
代表性论文:
(1) Guangshuo Cai; Lei Qiang; Peng Yang; Zimin Chen; Yi Zhuo; Ya Li; Yanli Pei; Gang Wang ; High-Sensitivity pH Sensor Based on Electrolyte-Gated In2O3 TFT, IEEE Electron Device Letters, 2018, 39(9): 1409-1412
(2) Guangshuo Cai; Shengdong Zhang; Liuan Li; Hongtai Luo; Li Guo ; MoOx-Si heterojunction with wide-band-gap MoOx contact layer in the application of low-intensity visible-light sensing, Materials Science in Semiconductor Processing, 2021, 131: 105879
(3) Guangshuo Cai; Peng Yang; Xinzhong Wang; Yanli Pei; Gang Wang ; Investigation of pH sensor based on liquid-solid dual-gated IGZO thin-film transistor, Materials Research Express, 2019, 6(9): 96305-96305
(4) Guangshuo Cai; Zimin Chen; Lei Qiang; Bing Yan; Yi Zhuo; Jiayong Lin; Xinzhong Wang; Yanli Pei; Gang Wang ; Visible-blind UV detector based on water-gated thin film transistor with In2O3 channel grown by metal-organic chemical vapor deposition, Japanese Journal of Applied Physics, 2018, 57(11): 110301
主要授权发明专利：
(1)蔡广烁; Sensor, manufacturing method thereof, and photoelectric conversion device, 2023-10-31,美国, US11804508B2
(2)蔡广烁；Photosensitive element, and preparation method and display device thereof，2024-02-06，美国,US11894479B2
(3)蔡广烁；Light sensor and display device，2024-07-30，美国,US12051264B2
(4)蔡广烁； 一种半导体器件及其制作方法、显示面板，2024-04-26，中国，ZL202110474010.9
(5)蔡广烁;王钢;裴艳丽;一种用于紫外光探测的电解质柵氧化物半导体光电晶体管, 2019-2-5,中国, ZL201710600940.8
(6)蔡广烁;郭力;光传感器及其制备方法、显示面板, 2023-5-2,中国, ZL2020115493261
(7)蔡广烁;光敏元件及其制备方法、显示装置, 2022-7-12,中国, ZL202011609287.X
(8)蔡广烁;光传感器和显示装置, 2022-6-10,中国, ZL202011430485.X
